日亞化學從一個不足200人的小公司，成長為世界知名的LED領導企業，核心專利和技術是其參與全球市場競爭的有力武器，對日亞化學圍繞中村修二作為發明人的藍光LED的專利布局進行分析，可以看出日亞化學在知識產權方面的重視和布局特點。因此，本期我們來看看日亞化學專利布局的幾個特點。同時，本期最后，我們學習如何從過期專利中獲取有用的信息。

提前布局

    藍光LED的制備是業界公認的技術難題，被認為是20世紀不可能完成的任務，誰也無法預料藍光LED在什么時候能夠真正實現，中村修二憑借執著使得難關一個個被攻破，日亞化學雖有動搖，但從1989年中村修二的第一件專利開始，直至1993年實現藍光LED的量產期間，中村修二的發明專利申請達到了92件。如果沒有“兵馬未動，糧草先行”的提前布局意識，直至藍光LED可預見成功時才匆忙進行專利申請，就會喪失時機，日亞化學作為一個小公司，既不能憑借藍光LED的大量核心、基礎專利頻頻向業界巨頭發起訴訟，由此獲取高額的專利許可費用，也不能壟斷藍光芯片的市場。

多維保護

    藍光LED的實現是一個集襯底技術、晶體生長、MOCVD設備、器件結構、電極材料與結構、歐姆接觸、封裝、切割等多方面技術為一體的研究，如果僅有單個或少數專利往往不能對藍光LED及其基于藍光LED的白光LED銷售市場產生有效保護，也就不能形成有效的技術壁壘，中村修二的研究涵蓋了藍光LED制備的每一個技術點，日亞化學也對藍光LED進行了多角度、全方位的專利布局，從而形成了競爭對手難以逾越的技術鴻溝。其專利申請所涉及的技術主題如圖1所示。

圖1

重點突出

    日亞化學大部分專利申請僅在本土布局，其中中村修二作為發明人的專利申請的多邊申請為5%，換言之本土申請量則為95%。但是具體到藍光LED技術，日亞化學卻準確地在涉及實現藍光LED的關鍵技術進行了海外布局，從一開始的Two-Flow設備、實現GaN膜的制備技術、PN結藍光LED、雙異質結藍光LED等都在主要競爭市場，如歐洲、美國、韓國、中國臺灣進行了專利布局，這些專利是標志性的成果，成為了日亞化學重點布局的對象。

    此外，日亞化學充分利用了分案申請、巴黎公約合案申請等規則，例如：關于歐姆接觸的CN1102507A，在中國經過八次分案申請，從各種不同的角度，把整個申請文件中可能的技術方案都加以保護起來。

案例提示

    通過這個案例告訴我們，掌握了行業前沿技術的企業，一定要注意提前布局，搶占先機；并且需要結合技術本身的特點，進行多維度保護；最后，還要考慮企業的成本問題，突出重點保護的技術。

    專利分析中少有人會對過期專利（也即保護期限已過，一般發明專利保護期限20年，實用新型專利保護期限10年）進行分析學習，筆者以中亞化學在藍光LED領域中過期專利為例，為我們提供了一種新的學習思路。

1.先明確過期專利的技術地位

    中心修二提出的藍光LED的技術路徑是一條完整的、能夠使LED商品化的解決方案，屬于LED的上游核心技術，是目前我國LED上游制造企業難以逾越的技術鴻溝；是日亞化學頻頻發起專利侵權訴訟的有力武器之一。

2.過期專利對技術發展的影響

    首先，隨著藍光LED基礎專利的20年有效期滿，日亞化學將失去部分優勢，消弱其在藍光LED領域的壟斷地位，降低我國企業面臨的風險。

    其次，盡管實現藍光LED的技術路徑不是唯一的，也有其它業界巨頭另辟蹊徑，提出了不同的解決方案，但是我國企業目前還不具備這樣的實力。從我國產業布局情況來看，封裝、應用等中下游領域占據了主要份額，而在LED襯底、外延與芯片等上游領域則處于劣勢。因此，當中村修二這條技術路徑完全釋放出來之后，有利于我國企業積極利用這些公知技術，站在日亞化學的“肩膀”上，對藍光LED技術進行二次開發，作出更高起點的發明創造，開發出更具有實用性和前瞻性的專利；彌補我國在LED上游領域核心技術、核心專利方面的缺失。

    再有，有利于我國企業積極拓展海外市場。反觀日亞化學早期的專利布局特點，針對于中村修二相關的專利申請，其進行多邊申請的比例僅占5％，95％的專利申請都僅僅布局日本本土，可能是當時日亞化學沒有能充分認識到某些專利技術的重要性，對這個行業可能的發展預估不足，由于專利的地域性，日亞化學不能在沒有布局的地區和國家獲得保護，從而也不能針對競爭對手提起訴訟，從而使得很大程度上制約了日亞化學利用“專利武器”在海外阻擊競爭對手。比如日亞化學和首爾半導體之間的專利訴訟，除了進入韓國的專利可以作為武器在韓國提起訴訟，其他則只能針對首爾半導體出口到日本的產品，選擇相關專利提起訴訟，2007年5月，日亞化學認為首爾半導體的白光Z-Power LEDP9侵犯了其發明專利JP3511970,JP2778349，在日本的大阪對首爾半導體提起侵權訴訟。這兩篇專利均是中村修二的發明，具體涉及外延-結構-歐姆接觸層。

    一方面因為中村修二的早期基礎專利，包括“Two-Flow”外延方法，緩沖層技術、PN結LED、雙異質結LED，GaN膜、InGaN膜的外延技術專利并沒有進入中國；另一方面中村修二的大部分專利又被僅布局在日本本土，所以中國企業在芯片和外延技術上面臨日亞的威脅主要是海外。現在這樣的威脅被消弱了，則有利于企業進行海外市場的拓展。

    最后，LED領域的核心專利面臨失效是我國LED業界所期待的，但是也應該注意到日亞化學是一個注重技術研發和專利布局的LED領導企業，其善于運用專利戰略，所具有的專利布局意識是我國企業所欠缺的，圍繞這些核心專利的過期，日亞化學肯定有自己的“補救”措施，一方面進行技術更新，繼續搶占先機，壟斷市場；另一方面繼續布局大量外圍專利，形成新的技術壁壘。除了日亞化學之外，LED領域的其他企業，特別是五大巨頭，他們也擁有諸多核心技術，進行了相當數量的專利布局，如果不能在技術上有所創新，形成具有一定數量的核心專利技術，我國LED企業將繼續沿襲“缺乏核心技術、核心專利，受制與人”的不利境地。

    作者簡介：李明，曾任國家知識產權局審查協作中心電學部審查員，現任 經緯（北京）知識產權代理有限公司總經理，曾參與多項專利分析項目，有豐富的專利分析、布局、預警經驗。